兩部門對(duì)超硬材料等實(shí)施出口管制產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)荜P(guān)注

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　　10月9日，商務(wù)部會(huì)同海關(guān)總署發(fā)布關(guān)于對(duì)超硬材料、稀土設(shè)備和原輔料、鈥等5種中重稀土、鋰電池和人造石墨負(fù)極材料相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制措施的公告，將于11月8日正式實(shí)施。

　　研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，目前我國(guó)超硬材料各細(xì)分領(lǐng)域的產(chǎn)銷比整體維持在較高水平，反映出行業(yè)供需關(guān)系基本平衡、市場(chǎng)消化能力較強(qiáng)。其中，金剛石線材和微粉產(chǎn)品產(chǎn)銷比接近100%，顯示出光伏與磨削等成熟應(yīng)用場(chǎng)景的強(qiáng)勁需求和高效產(chǎn)能利用。PCD、PCBN刀具與超硬砂輪也維持在95%左右，說(shuō)明在傳統(tǒng)制造與精密加工中的穩(wěn)定滲透率。而CVD金剛石薄膜的產(chǎn)銷比為75%，但增長(zhǎng)潛力大，預(yù)計(jì)2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破50億元，推動(dòng)行業(yè)向高附加值領(lǐng)域升級(jí)。

　　臺(tái)積電營(yíng)收超預(yù)期半導(dǎo)體行業(yè)或迎來(lái)全面復(fù)蘇

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　　10月9日，臺(tái)積電公布業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)顯示，公司9月銷售額3309.8億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)31.4%，環(huán)比下降1.4%。臺(tái)積電第三季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)30%，達(dá)到9899億新臺(tái)幣，超出分析師平均預(yù)期的9628億新臺(tái)幣。今年以來(lái)累計(jì)銷售額2.76萬(wàn)億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)36.4%。

　　臺(tái)積電是英偉達(dá)、AMD和博通等主要AI加速器設(shè)計(jì)商的首選芯片制造商。隨著全球科技巨頭持續(xù)在人工智能領(lǐng)域進(jìn)行數(shù)十億美元的投資，對(duì)高端芯片的需求為臺(tái)積電帶來(lái)強(qiáng)勁業(yè)績(jī)支撐。臺(tái)積電高管認(rèn)為，美國(guó)科技公司在云計(jì)算能力建設(shè)方面的大規(guī)模支出將成為公司重要的長(zhǎng)期增長(zhǎng)引擎，這一趨勢(shì)推動(dòng)了對(duì)先進(jìn)制程芯片的持續(xù)需求。研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，在AI需求推行下，2025年半導(dǎo)體行業(yè)或迎來(lái)全面復(fù)蘇，產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局有望加速出清修復(fù)，產(chǎn)業(yè)盈利周期和公司利潤(rùn)有望持續(xù)修復(fù)。

　　人形機(jī)器人迎來(lái)密集催化行業(yè)量產(chǎn)有望加快

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　　據(jù)媒體報(bào)道，“杭州六小龍之一”的云深處科技正式發(fā)布全新一代行業(yè)級(jí)人形機(jī)器人DR02。DR02最核心的突破在于其達(dá)到IP66級(jí)(IP防護(hù)等級(jí)是電氣設(shè)備安全防護(hù)的重要評(píng)判標(biāo)準(zhǔn))的整機(jī)防水防塵能力，滿足全天候戶外作業(yè)場(chǎng)景需求。云深處科技DR02人形機(jī)器人采用高度擬人化設(shè)計(jì)方案，其175厘米的身高與68厘米的臂長(zhǎng)接近成年男性標(biāo)準(zhǔn)體型。

　　另外，沃爾瑪美國(guó)網(wǎng)站近日上架中國(guó)宇樹G1人形機(jī)器人，基本款售價(jià)為21600美元(現(xiàn)匯率約合15.4萬(wàn)元人民幣)，免費(fèi)送貨，一次可以訂購(gòu)六臺(tái)。作為對(duì)比，宇樹G1人形機(jī)器人基本款在中國(guó)的售價(jià)為9.9萬(wàn)元。

　　顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu) 全球首顆二維硅基芯片研發(fā)成功

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　　據(jù)報(bào)道，？復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)將二維超快閃存器件“破曉（PoX）”與成熟硅基CMOS工藝深度融合，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片。相關(guān)成果發(fā)表于《自然》期刊，被視為中國(guó)集成電路領(lǐng)域的“源技術(shù)”，有望顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)并推動(dòng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)升級(jí)。今年4月，該團(tuán)隊(duì)提出“破曉”二維閃存原型器件，實(shí)現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲(chǔ)，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。

　　高性能固體電解質(zhì) 為氫能商業(yè)化提供新技術(shù)路徑

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　　據(jù)報(bào)道，日本東京科學(xué)大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)布的一項(xiàng)研究顯示，他們研發(fā)出一種高性能固體電解質(zhì)，能在90攝氏度下可逆吸收和釋放大容量的氫?；谠摴腆w電解質(zhì)，研究人員構(gòu)建了以金屬鎂和氫氣為電極活性物質(zhì)的鎂-氫電池。實(shí)驗(yàn)表明，在90攝氏度條件下，電池每克可實(shí)現(xiàn)2030毫安時(shí)的可逆氫氣吸放容量，幾乎達(dá)到了鎂的理論儲(chǔ)氫上限。